En esta edición se desarrollaron listas de objetivos para el material incluido en cada capítulo; además, al final de cada uno de ellos se incluye una lista de conclusiones, conceptos y ecuaciones importantes. Estos tres elementos resumen el material para una revisión y aplicación futuras. Se agregó una tabla de resumen al capítulo 4 de polarización de cd de los BJT, en concordancia con las provistas para el análisis de ca de los BJT y la investigación de ca y cd de los FET.
Por otra parte, se utiliza el modelo re
del transistor BJT en las primeras secciones de cada capítulo dedicadas
al tema, relegando el modelo de parámetro híbrido a secciones
posteriores, como si fuera una entidad aparte. De esta manera se puede
analizar el material por separado
sin afectar el flujo general del que utiliza el modelo re. El nivel de
detalle provisto para el modelo de parámetros híbridos sigue siendo casi
el mismo, aunque ahora aparece más adelante en el capítulo.
En algunas áreas el contenido general en
esencia no cambia, excepto por los comentarios adicionales y el
reacomodo del texto. Por ejemplo, el apartado de respuesta en frecuencia
(capítulo 9) ahora contiene comentarios adicionales sobre el uso de
logaritmos y la realización del proceso de
normalización, así como la sección Análisis por computadora que se ha
movido a otra parte del texto. El análisis de las configuraciones del
par Darlington y realimentación se reescribió en su totalidad para que
compaginara mejor con las primeras secciones del mismo capítulo. La
cobertura de amplificadores operacionales y redes digitales se
reescribió por completo para mejorar su presentación y para
actualizarlos.
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